续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算方法及装置

本申请公开了一种续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算方法及装置，所述方法包括：计算半桥电路中除了IGBT器件封装寄生电感的回路寄生电感得到第一电感；计算半桥电路中除了IGBT器件封装寄生电感和FWD器件封装寄生电感的回路寄生电感得到第二电感；根据所述第一电感和所述第二电感得到所述FWD器件的FWD器件寄生电感，根据所述FWD器件寄生电感以及电路电流计算得到FWD器件内部芯片正向恢复过程电压。本申请通过观测IGBT器件和FWD器件电压电流波形来估计FWD芯片正向恢复电压，保证续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算的准确性。