一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法

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一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法
申请号:CN202410710506
申请日期:2024-06-03
公开号:CN118315002B
公开日期:2024-10-11
类型:发明专利
摘要
一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法,包括以下步骤:S1 建立三元半导体化合物外延生长耦合相场模型,简称三元相场模型,所述的三元半导体化合物包括第一组分、第二组分、第三组分;S2 向三元相场模型中输入各参数信息,计算所述的三元相场模型时刻的数值解;S3 对计算出来的三元相场模型时刻的数值解利用半隐积分延迟校正算法进行后处理,得到高阶时间精度的三元相场模型时刻校正数值解;本发明利用数值模拟进行仿真,可以在不需要消耗任何原材料的情况下,实现晶体生长全过程实时监测并可以灵活变动组分配比,为制备高性能、高质量单晶材料提供重要参考指导。
技术关键词
相场模型 数值模拟方法 半导体化合物 接触角 校正算法 半导体材料 全过程实时监测 长程相互作用 迁移率参数 谱方法 高质量单晶 代表 界面 稳态 外延结构 图像
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