降低慢轴发散角的宽条型半导体激光器芯片及制备方法

本发明涉及一种降低慢轴发散角的宽条型半导体激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器芯片领域，包括层叠结构、脊波导和电注入区，层叠结构自下到上包括衬底、应力缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型高折射率限制层、P型低折射率限制层和欧姆接触层；脊波导沿半导体激光器芯片的第一方向延伸；电注入区形成于脊波导上；脊波导的两侧设置两波导槽，波导槽通过完全去除欧姆接触层、P型低折射率限制层以及一部分P型高折射率限制层制备得到，所述波导槽靠近外侧壁的底部和外侧壁上设置有高折射率、高消光系数的薄膜层。本发明可以克服现有技术存在的光束质量差的问题，同时解决了半导体器件在大电流注入时的可靠性问题。