太赫兹波合成的集成自旋波导芯片

AITNT
正文
推荐专利
太赫兹波合成的集成自旋波导芯片
申请号:CN202410710925
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118276228A
公开日期:2024-07-02
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种太赫兹波合成的集成自旋波导芯片,属于光学传感技术领域,解决了现有技术中自旋光波导芯片的电磁波兼容、波形合成的问题的问题。本申请的技术方案,通过铁磁异质薄膜构建自旋波导,通过制备太赫兹天线领结结构或偶极子天线结构等结构实现太赫兹波沿垂直于波导平面的方向辐射;通过波导的布局和天线的相对位置决定了太赫兹发射远场的定制和干涉图样。并行和串行天线结构可以定制太赫兹辐射的时间和频谱特性。本申请的技术方案,利用自旋波导结构设计输入输出耦合结构,实现更高功率的飞秒激光激发,并且对生成波形的时间、频谱、相位、幅度和远场特性进行调控。
技术关键词
波导天线 输入耦合结构 天线组 基片 输入输出耦合结构 偶极子天线结构 衬底 分支 光学传感技术 介质 太赫兹天线 光波导芯片 通道 领结结构 异质结构 波形
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号