一种利用反向施磁进行初始化的霍尔传感器集成电路

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一种利用反向施磁进行初始化的霍尔传感器集成电路
申请号:CN202410711475
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118501782A
公开日期:2024-08-16
类型:发明专利
摘要
本发明涉及集成电路技术领域,具体为一种利用反向施磁进行初始化的霍尔传感器集成电路,包括霍尔半导体感应单元、微线圈电路、微线圈控制电路、补偿及信号调理电路、ADC及输出电路、电源管理及控制单元、I2C和SPI通讯电路单元、TVS及过保护电路单元和GPIO以及其它数字电路单元。本发明具有与霍尔半导体感应单元相互靠近但互不接触的微线圈电路,当集成电路芯片在强磁场环境下使用时,微线圈电路可产生与外部静态磁场方向相反、磁感应强度相等的磁场,从而抵消外部磁场对霍尔传感器的影响,因此霍尔传感器能适应在非零静态磁场的环境下正常工作。
技术关键词
线圈控制电路 通讯电路 信号调理电路 电路单元 半导体 控制单元 微处理器 静态磁场 电阻网络 霍尔传感器 恒压源 强磁场环境 恒流源 集成电路技术 集成电路芯片 电源 磁感应强度
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