一种基于半悬浮桥制备平面约瑟夫森结的方法

本发明公开了一种基于半悬浮桥制备平面约瑟夫森结的方法，属于电子芯片技术领域。本发明的方法包括选用蓝宝石衬底作为基片，并对蓝宝石表面进行预处理；采用直流磁控溅射在蓝宝石衬底上生长Nb薄膜；采用紫外光刻显影技术在蒸镀完的Nb薄膜上制备微米桥图形；反应离子刻蚀出微米桥的结构；在基片上旋涂双层光刻胶；采用紫外曝光技术曝光光刻胶，并显影形成半悬浮桥结构；双角度电子束蒸镀铝掩膜；反应离子刻蚀成铌微桥结。本发明主要是利用双层光刻胶溶解速率的不同，实现一个半悬浮桥结构，利用双角度电子束蒸发制备铝掩膜，来缩短平面沟道长度，突破了传统紫外光刻机分辨率的限制，工艺流程简单、周期短、实用性强、成本低。