一种制备Micro-LED发光模组的方法

本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。