用于功率半导体芯片的接触装置和功率电子器件模块

本发明涉及用于功率半导体芯片的接触装置和功率电子器件模块，该接触装置具有：基板；至少两个以第一电端子布置在基板上并与之电接触的功率半导体芯片；和至少一个朝基板之外指向的接触区域，功率半导体芯片的同类的电端子要与接触区域电接触；以及接触构件，接触构件形成为能导电的金属膜，该金属膜在至少一个面区段上具有电绝缘层，其中，电绝缘层分别具有用于容纳和接触其中一个功率半导体芯片的各一个电端子的直至金属膜的凹部，并且其中，金属膜的至少一个部分还从电绝缘层伸出并且与基板的所从属的接触区域电接触，以便电接触功率半导体芯片的同类的电端子。