一种红光高压LED芯片及其制作方法

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红光高压LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、键合层，以及设置于所述键合层上的芯片组；所述芯片组由若干个规则排布的单元芯粒组成，所述单元芯粒包括外延结构，以及布置在外延结构上的P电极和N电极；相邻单元芯粒之间以及芯片组外围设置有隔离沟槽；两两相邻的单元芯粒之间按照单元芯粒的串联方向采用通孔桥接电极实现电连接；所述隔离沟槽和所述蚀刻台阶内设置有聚酰亚胺填充层，所述聚酰亚胺填充层将所述隔离沟槽和蚀刻台阶填平；所述通孔桥接电极包括依次连接的P侧连接段、桥接段和N侧连接段。上述结构可以有效避免桥接电极的断路，有效提高了芯片结构的稳定性和可靠性。