半导体芯片及半导体晶圆

本发明公开了一种半导体芯片及半导体晶圆，所述半导体芯片包括芯片本体、外电极，所述芯片本体和所述外电极之间还形成有缓冲电极，所述缓冲电极包括拉应力层，所述拉应力层由多层大热膨胀系数金属层与小热膨胀系数金属层依次交错堆叠而成，以抵消至少部分所述芯片本体的外延层中的压应力。与现有技术相比，本发明在芯片本体和外电极之间设置缓冲电极，该缓冲电极内具有以大热膨胀系数金属层与小热膨胀系数金属层交错堆叠形成的具有区域性拉应力作用的拉应力系统，以此抵消至少部分芯片本体中外延层内的压应力，减少晶圆翘曲度，从而提升芯片良率。