忆阻器及其制备方法、存储芯片及识别系统

本申请涉及提供了忆阻器及其制备方法、存储芯片及识别系统。本申请涉及半导体技术领域，所述忆阻器包括底电极层，设于所述底电极层的一侧的顶电极层，以及设于所述底电极层与所述顶电极层之间的阻性层；其中：所述底电极层的材料包括范德瓦尔斯金属性的二维材料；所述阻性层的材料包括范德瓦尔斯金属磷硫化物。阻性层的材料包括范德瓦尔斯金属磷硫化物，通过其宽禁带特性，有助于获得低关断电流，提供高开关比的条件，而多元素组成可以提供多种空位缺陷，有利于获得低离子迁移势垒，不易形成残留导电丝，确保高开关比的实现。通过控制范德瓦尔斯阴极的缺陷，在保证导电性的同时，在底部阴极引入额外的离子脱嵌，实现模拟阻性行为。