一种红外焦平面芯片的背减薄工艺

本发明公开了一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，涉及红外探测器技术领域，具体包括以下步骤：S1：贴片；S2：研磨；S3：抛光；S4：清洗干燥。本发明芯片背减薄工艺不仅可以将I nSb光敏元芯片平整度控制在1μm以内，还可以保护硅读出电路边缘PAD不被研磨溶液与抛光溶液腐蚀，经本发明背减薄工艺处理后的I nSb光敏元芯片表面无划痕、损伤，且本发明可以对多片红外焦平面探测器芯片同时进行背减薄，生产效率更高。