一种基于双频莫尔条纹查表的大范围光刻对准方法

本发明公开了一种基于双频莫尔条纹查表的大范围光刻对准方法，涉及半导体集成电路制造技术领域，并包括：1在晶圆和掩膜上制作由四层线光栅组成的复合对准标记；2通过准直光源照射重叠的晶圆和掩膜标记，形成双频莫尔条纹；3通过二维FFT提取双频莫尔条纹的包裹相位，并利用快速强度传输方程解包裹算法得到连续相位；4根据相位差分别计算上部和下部光栅标记的错位信息；5根据线光栅周期生成差值表；6将错位值输入差值表中，查表并计算晶圆和掩膜的实际错位，反馈调整直至完全对准。本发明可以实现大量程纳米级的光刻对准。