半导体结构的制造方法、半导体结构、芯片和电子设备

本公开涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及半导体结构的制造方法、半导体结构、芯片和电子设备，所述方法包括在第一导电类型的掺杂衬底上形成第一导电类型的掺杂外延层；在掺杂外延层中的沟槽外围形成第二导电类型的第一掺杂区，第二导电类型与第一导电类型相反；在沟槽中形成第二导电类型的第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度高于第一掺杂区的掺杂浓度；在第一掺杂区和第二掺杂区上方形成第二导电类型的体区；在体区中形成接触区，体区除第一和第二掺杂区正上方以外部分的掺杂浓度低于第二掺杂区的掺杂浓度，高于第一掺杂区的掺杂浓度。本公开解决了半导体结构中寄生二极管反向恢复过硬，反向峰值电流过大，导致器件可靠性大大降低的问题。