5G小型化低插损IPD带通滤波器

本发明公开了一种5G小型化低插损I PD带通滤波器，包括介质层以及设置在介质层上的接地环和电路结构，所述接地环环绕设置在电路结构外围；所述接地环和电路结构均通过设置在介质层上的金属层形成，所述电路结构包括输入端口、输出端口、第一高通元件、第二高通元件、低通元件、并联LC谐振器、串联接地LC谐振器和并联接地LC谐振器。本发明中，采用I PD技术实现了滤波器的小型化，使滤波器易于与其他射频芯片模块组合集成；通过合理地引入LC谐振器及并联接地低通滤波器组，在降低滤波器的回波损耗的同时进一步提升了阻带的抑制水平，达到了良好的低插损效果，并且在更高频率处也具有良好的带外抑制性能，具有广泛的应用前景。