一种压接型IGBT单芯片温敏参数的测量装置及测量方法

本发明公开了一种压接型IGBT单芯片温敏参数的测量装置及测量方法，属于芯片技术领域，解决了在不破坏单芯片封装的基础上，得到准确的芯片温度对应的温敏参数值，缩短温敏参数的测量时间的问题。包括上散热流道、下散热流道、设置于上散热流道和下散热流道之间的集电极金属板和发射极金属板、以及单芯片，所述单芯片设置于集电极金属板和发射极金属板之间，所述上散热流道与集电极金属板之间绝缘设置，所述发射极金属板与下散热流道之间亦绝缘设置，所述单芯片耦接有贯穿集电极金属板和上散热流道至外界的光纤温度传感器。本发明缩短温敏参数的测量时间，节约成本。