一种提升IGBT功率循环试验的HIMAL材料及喷涂工艺

本发明公开了一种提升IGBT功率循环试验的HIMAL材料及喷涂工艺，本发明涉及半导体封装技术领域，包括以下步骤：将半导体基板进行DBC刻标，之后进行芯片贴装，一次回流后进行铝线键合，二次进行DBC贴装，而后二次回流，再进行装壳封装，采用端子超声焊进行铜线键合，制备HIMAL喷涂溶液，将HIMAL喷涂溶液在全部键合结束灌胶工艺前对半导体基板进行喷涂，进行灌胶固化。该用HIMAL材料提升PC实验可靠性的喷涂工艺，能够有效提升键合焊点的牢固度，使得PC产品的可靠性增强，提升PC实验模块寿命1倍以上，并有效解决产品防硫化的密封问题，增加产品的密闭性能。