一种双面冷却式碳化硅功率模块及其制造工艺

本发明公开了一种双面冷却式碳化硅功率模块及其制造工艺，涉及半导体功率器件封装技术领域，包括安装板，所述安装板的上表面固定焊接有基板，所述基板的上表面焊接有功率端子，所述安装板的上表面固定安装有PCB板，所述PCB板包括第二绝缘板，所述第二绝缘板的上表面固定连接有第三安装孔，所述第三安装孔的两端均电性连接有驱动端子，所述基板的上表面固定连接有S i C芯片组，所述基板的上表面固定连接有SBD芯片组，本发明一种双面冷却式碳化硅功率模块，降低功率和控制回路的寄生电感、回路电阻，其中寄生电感降低55％，热阻降低45％，且提高散热能力的同时兼容传统的键合线工艺和焊接工艺，容易制作且不需要额外的成本，适合大规模的市场应用。