一种硅集成芯片器件及其制备方法

本发明涉及一种硅集成芯片器件及其制备方法。器件包括：若干集成单元，任一集成单元包括：背面电极，背面电极为集电区；衬底层，位于背面电极一侧的表面，衬底层至少包括漂移区；IGBT模块区、SBD模块区和FRD模块区；其中，SBD模块区位于IGBT模块区和FRD模块区之间；IGBT模块区、SBD模块区和FRD模块区之间无间隔紧密排布；正面电极，正面电极覆盖IGBT模块区背向衬底层一侧表面、SBD模块区背向衬底层一侧表面和FRD模块区背向衬底层一侧表面，同时作为IGBT模块、SBD模块和FRD模块的电极。本发明提供的硅集成芯片器件能有效提高器件的反向耐压性能，缩短器件的开关时延，同时提高芯片面积利用率，使得硅集成芯片器件具有高耐压、低正向阻抗以及开关时延短的性能。