聚硅氮烷-氧化硅转化收缩率的调控方法及应用

AITNT
正文
推荐专利
聚硅氮烷-氧化硅转化收缩率的调控方法及应用
申请号:CN202410762481
申请日期:2024-06-13
公开号:CN118712072A
公开日期:2024-09-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种聚硅氮烷‑氧化硅转化收缩率的调控方法及应用,所述方法包括将含有小分子与聚硅氮烷的溶液涂覆于基底上,得到聚硅氮烷涂层,然后经预退火、高温固化,得到SiOx涂层。本发明通过调节溶液浓度可实现氧化硅层厚度的调节。本发明由聚硅氮烷衍生制备得到的氧化硅(SiOx)涂层具有高硬度、高模量、高致密性、及良好的耐磨性等优异性能。本发明解决了现有的聚硅氮烷转化氧化硅引起的涂层收缩率高的问题,因而有利于制备更高致密度的SiOx涂层。
技术关键词
聚硅氮烷涂层 氧化硅 调控方法 半导体芯片 六甲基环三硅氮烷 八甲基环四硅氧烷 氨丙基三甲氧基硅烷 氨丙基三乙氧基硅烷 分子 有机硅氧烷 栅极绝缘层 真空紫外 沟槽结构 基底 溶液 层厚度 透明度
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号