一种热导式氢传感器结构及芯片

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一种热导式氢传感器结构及芯片
申请号:CN202410766278
申请日期:2024-06-14
公开号:CN118348053B
公开日期:2024-08-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及氢传感器技术领域,提出了一种热导式氢传感器结构及芯片,通过将热导式氢传感器设计为具有温度检测腔室和温度补偿腔室的双重温度检测结构,利用密封的温度补偿腔室检测的第二温度值表征环境温度的影响,以此来修正连通外部待检测区域的温度检测腔室检测的第一温度值,将第一温度值与第二温度值的差值作为衡量氢气浓度值的表征参数,实现对外部待检测区域氢气浓度值的精确测量;另外,通过抽气泵快速排出温度检测腔室中不属于外部待检测区域的非检测气体快速抽出,提高了热导式氢传感器的响应速度与测量精度,解决了现有技术提供的氢传感器存在着受环境温度影响大以及检测结果不准确的问题。
技术关键词
检测主体 传感器结构 温度检测元件 气体 气流 氢气 传感器芯片 腔室 氢传感器技术 双重温度检测 通道 抽气泵 温度检测组件 热传导 曲线 加热组件 关系
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