屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法

本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法，涉及集成电路技术领域，通过拟合不同测试条件以及辐射剂量下的模型，然后将拟合所用的各个参数采用三次分段差值Hermite法得到剂量与参数之间的插值函数，再将得到的函数带入到模型中，即可得到所测试的最大区间内任意辐射剂量下的模型。本发明提供了在一定辐射剂量下提供了一种精准的屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法。此建模方法准确的反应了SGT MOSFET遭受不同剂量TID效应后直流特性、电容特性与栅电荷的不同程度退化，可以高效精确的用于抗辐射领域的电路仿真。