垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，包括衬底，所述衬底上依次设有外延层、栅氧化层、金属层和钝化层；所述钝化层包括高密度等离子增强型氧化层膜质和等离子增强型氮化硅。通过采用高密度等离子增强型氧化层膜质与等离子增强型氮化硅作为钝化层，可更好的填充厚铝工艺经湿法刻蚀后形成的水滴状形貌，使源区和栅区高度差降低，填充钝化层内空洞。并降低了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅源漏电流。提升了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管钝化层的钝化能力。解决现有技术中存在的垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管栅源漏电流大的问题。