一种封装结构及其制造方法

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，在本发明的封装结构的制造方法中，在形成电磁屏蔽层之前，预先对所述半导体芯片的上表面和侧面进行氧离子注入处理，以在所述半导体芯片的所述硅衬底内部形成含氧硅层，所述含氧硅层距离所述半导体芯片的上表面和侧面的距离为30‑200纳米，即通过调节注入能量来调节含氧硅层的位置，且通过掺杂处理将含氧硅层以上的部分形成高方阻区，通过上述处理方式，在确保电磁屏蔽层的屏蔽性能的同时，还可以避免电磁屏蔽层与半导体芯片之间不必要的电性接触，进而提高了半导体芯片的工作稳定性。