IGBT器件剩余寿命预测方法及系统

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IGBT器件剩余寿命预测方法及系统
申请号:CN202410772875
申请日期:2024-06-17
公开号:CN118625087B
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本申请提供了IGBT器件剩余寿命预测方法和系统,包括:模拟IGBT器件功率循环老化的实验,根据所述实验采集导通压降历史数据,并根据所述导通压降历史数据,分别获取模型参数经验值和模型参数估计值;据当前运行状态,构造第一状态权重,并根据所述模型参数经验值和所述第一状态权重,对所述模型参数估计值进行平滑调整,得到参数修正结果;根据所述参数修正结果,建立状态转移方程,并根据所述状态转移方程对IGBT器件进行剩余寿命预测;采用本申请能够提高IGBT器件的剩余寿命预测的精确度。
技术关键词
剩余寿命预测方法 IGBT器件 参数 方程 剩余寿命预测系统 粒子群优化算法 序列 滤波 数据 模块 功率 电压 定义
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