一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法

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一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法
申请号:CN202410774164
申请日期:2024-06-17
公开号:CN118719178B
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法,属于微流控技术领域。本申请针对现有声表面波微流控芯片中平直型叉指换能器激发的声场振幅横向分布不均匀的问题,提出一种声场横向均匀分布的声表面波微流控芯片的制作方法。具体地,首先构建计算孔径变迹叉指换能器声场分布的模型;进一步地,计算换能器指条加权不同时的声场分布;更进一步地,应用优化算法得到使得近场区域声场分布均匀的加权方式;最后,制作微流腔道并安装在叉指换能器的近场区域。该器件工作区内的声场有很好的横向不变性,且适用于不同压电基底材料和微流腔结构。相比已有器件,采用本申请的声表面波微流控芯片,可有效提升粒子操控的效率和精度。
技术关键词
表面波 微流控芯片 叉指换能器 构建代价函数 序列 基底 微流控技术 基础结构 尺寸 数值 计算方法 变量 偏差 算法 粒子 波长 精度
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