一种基于SiC MOSFET门限电压的动态结温测量装置

本发明涉及一种基于SiC MOSFET门限电压的动态结温测量装置，包括：电流检测部分，与被测SiC MOSFET的源极串联，用于在SiC MOSFET开通时产生一个正脉冲信号，在SiC MOSFET关断时产生一个负脉冲信号；门限电压采集控制部分，用于根据所述正脉冲信号和负脉冲信号生成门限电压采集控制信号；门限电压采样部分，用于根据门限电压采集控制信号对被测SiC MOSFET栅源之间的门限电压进行采集；结温值确定部分，用于根据结温和门限电压的曲线确定在采集到的门限电压下的结温值。本发明可以快速、准确、实时地测量SiC MOSFET的结温。