光刻工艺的曝光方法

本发明提供了一种光刻工艺的曝光方法，在晶圆上将一张掩模板的图案作为一曝光单元多次重复的曝满所述晶圆，所述曝光方法包括：步骤S1：按照第一预设曝光顺序曝光所述晶圆的第一部分边缘曝光单元及晶圆中部区域的曝光单元；步骤S2：将所述掩模版/晶圆旋转180度后，按照第二预设曝光顺序曝光所述晶圆的第二部分边缘曝光单元；所述曝光单元包括芯片部分及芯片之间切割道的测试结构。解决了够有效检测晶圆边缘的测试结构的分布范围和数量不足以满足对晶圆边缘芯片的品质的监测的需求的问题。