半导体器件

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推荐专利
半导体器件
申请号:CN202410780022
申请日期:2024-06-17
公开号:CN119173032A
公开日期:2024-12-20
类型:发明专利
摘要
一种半导体器件包括:下芯片结构,包括存储结构和连接到存储结构的下布线结构;以及位于下芯片结构上的上芯片结构,其中,上芯片结构包括:上基底;位于上基底下方的外围晶体管;中间布线结构,位于上基底下方并且连接到外围晶体管;位于上基底上的上布线结构;第一贯通通路,在上布线结构与中间布线结构之间穿透上基底,第一贯通通路连接上布线结构和中间布线结构;以及第二贯通通路,在上布线结构与下布线结构之间穿透上基底并且向下延伸,第二贯通通路连接上布线结构和下布线结构。
技术关键词
布线结构 芯片结构 半导体器件 基底 数据存储结构 上半导体衬底 晶体管 单元开关 器件隔离区域 阻挡层 读出放大器 间隔物 导电 电极 绝缘 位线
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