一种提高倒装焊压焊均匀性的方法

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一种提高倒装焊压焊均匀性的方法
申请号:CN202410782621
申请日期:2024-06-18
公开号:CN118804670A
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种提高倒装焊压焊均匀性的方法,步骤包括:S1,在平面电路表面制备氧化硅层;S2,匀胶曝光;S3,形成氧化硅柱;S4,匀负胶曝光;S5,显影,以得到用于铟柱生长的孔洞;S6,铟柱生长;S7,铟柱剥离;S8,对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊;S9,对倒装焊结束的结构进行压焊;S10,利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。本发明不会对平面电路的性能造成影响,相较于现有技术,可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
技术关键词
氧化硅 铟柱 涂覆光刻胶 刻蚀液 沉积设备 电路 匀胶 镀膜 孔洞 表面镀 氢氟酸 制程 芯片 缓冲 尺寸
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