摘要
本发明公开了一种提高倒装焊压焊均匀性的方法,步骤包括:S1,在平面电路表面制备氧化硅层;S2,匀胶曝光;S3,形成氧化硅柱;S4,匀负胶曝光;S5,显影,以得到用于铟柱生长的孔洞;S6,铟柱生长;S7,铟柱剥离;S8,对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊;S9,对倒装焊结束的结构进行压焊;S10,利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。本发明不会对平面电路的性能造成影响,相较于现有技术,可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
技术关键词
氧化硅
铟柱
涂覆光刻胶
刻蚀液
沉积设备
电路
匀胶
镀膜
孔洞
表面镀
氢氟酸
制程
芯片
缓冲
尺寸