粘合薄膜和半导体装置的制造方法

本发明涉及粘合薄膜和半导体装置的制造方法。粘合薄膜具备：包含2种以上聚合物的粘合层和基材层，满足(1)或(2)。(1)将前述粘合薄膜伸长200％时的前述粘合层的表面的算术平均高度(Sa)的值S’与伸长前的前述粘合薄膜的前述粘合层的表面的算术平均高度(Sa)的值S的比S’/S为9.5以下。(2)前述聚合物的至少2种的SP值的差为0.3以下，且羟值比为40以下。