一种MRI高场磁体线圈参数的优化方法

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一种MRI高场磁体线圈参数的优化方法
申请号:CN202410784748
申请日期:2024-06-18
公开号:CN118798121A
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种MRI高场磁体线圈参数的优化方法,属于高场磁体领域,包括:确定磁体线圈的均匀度要求、杂散场要求、导体样式以及空间排布;通过线性规划建立磁体线圈的目标函数和约束条件,获得磁体线圈的电流分布;根据磁体线圈的初步电流分布,对磁体线圈进行矩形化规整,得到第一线圈参数;基于第一线圈参数构建非线性规划模型,求解获得第二线圈参数;基于粒子群算法对第二线圈参数进行优化,获得均匀度和杂散场符合预设要求的目标线圈参数。本申请提供的优化方法可针对多匝密绕高场磁体线圈进行参数优化,有效提升MRI高场磁体的均匀度和杂散场。
技术关键词
磁体线圈 线圈参数 非线性规划模型 粒子群算法 电流 导体 可读存储介质 样式 处理器 存储器 计算机 电缆 电子设备 栅格 矩形 变量 代表
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