一种波导与锗探测器集成芯片及其制造工艺

本发明适用于芯片技术领域，提供了一种波导与锗探测器集成芯片及其制造工艺，所述集成芯片包括锗探测器和与之集成的氮化硅波导，所述锗探测器相对的两侧均形成有金属盘，所述锗探测器通过金属与一个金属盘连接，所述金属与锗探测器之间形成有接触孔，另一个金属盘上形成有接触孔，本发明采用的材料形成的波导，具备足够低的传输损耗，可以设计足够的长度来满足相干信号延迟的要求，本发明将氮化硅波导和锗探测器无缝集成在单个芯片上，制造出一体集成并且耦合损耗很低的FMCW Lidar芯片。