芯片及其制备方法

本申请公开一种芯片制备方法，包括步骤：制备基底，基底包括层叠设置的功能层和衬底层，功能层背离衬底层的一侧表面包括相互连接的第一区域和第二区域；在第二区域形成扩散层；在扩散层背离衬底层一侧以及第一区域形成保护层；进行退火处理，以将功能层中与扩散层对应的部分转型；在两个保护层背离衬底层的一侧分别形成金属层。在功能层的第一区域形成保护层，在第二区域依次形成扩散层和保护层，使得退火过程中与扩散层对应的部分转型成P型区，P型区与原有的N型区相互连接形成PN结，可以增大PN结区域的体积，使得更多的电荷进入PN结区域进行分离，产生更多有效的光生电流，减少复合电流，提高芯片的量子效率。本申请还公开一种芯片。