一种芯片化学机械抛光后清洗组合物、其制备方法及用途

本发明涉及一种芯片化学机械抛光后清洗组合物、其制备方法及用途。所述清洗组合物按照重量份计算，包括如下组分：有机碱1‑5份；功能剂1‑10份；添加剂5‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；超纯水70‑90份。本发明采用的功能剂既可防止Cu2+的再沉积，又可阻止Cu2+与BTA‑的再结合，进而使Cu‑BTA被完全去除。本发明添加剂不受酸、碱和电解质的影响，并具有较强的渗透力，可渗入Cu‑BTA残留物和Cu表面的间隙中，可将Cu‑BTA托起，有机碱可将Cu‑BTA中的Cu2+电离出来，功能剂将Cu2+螯合。本发明的清洗组合物环保、且挥发损耗小，在清洗完毕后，仅用纯水冲洗即可，对环境和人体无伤害。