一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法

本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。