一种用于硅光模块的大功率光源COC及硅光模块、共晶方法

本发明涉及一种用于硅光模块的大功率光源COC共晶方法，在芯片N面镀金层下镀含有磁性材料的合金层；由共晶贴片机的预热台对陶瓷热沉预热，预热温度小于250℃;将预热陶瓷热沉转于共晶贴片机的加热台上，并由共晶贴片机吸嘴吸附芯片，然后开启加热台，温度为260℃～270℃，吸嘴下压以让芯片与陶瓷热沉上处于软化状态的金锡焊料粘接，持续时间2～4s;将其转入氮气箱内的程控加热台上，并向氮气箱内持续通入氮气以排空空气，开启强磁场，强磁场将让芯片的合金层产生向下的吸力，以挤压金锡焊料，开始在25～320℃温度范围内阶梯升温降温以完成共晶。有益效果为：提升共晶贴片机产出率，节省氮气以及提高共晶质量和良率。