一种碳化硅VDMOS器件的SPICE模型建模方法

本发明属于半导体器件技术领域，提供一种碳化硅VDMOS器件的SPICE模型建模方法，用以针对碳化硅VDMOS器件构建高准确度的SPICE模型。本发明创新性的提出：将基于半导体物理机理的TCAD软件Silvaco仿真结果作为数据源进行SPICE模型建模，同时，对SPICE模型及其模型参数进行改进，并基于数据源对模型参数中的待拟合参数进行拟合求解，最终建立得到碳化硅VDMOS器件的SPICE模型；本发明避免了直接基于产品手册上仿真漏源极电流转移特性、输出特性以及输入电容、输出电容、反馈电容等相关数据，Silvaco仿真结果使得拟合公式更具有物理意义且准确度更高。综上，本发明能够针对碳化硅VDMOS器件进行快速、高效的高准确度建模。