一种集成电路封装体及其制备方法

本发明涉及一种集成电路封装体及其制备方法，涉及半导体技术领域，在本发明的集成电路封装体的制备方法中，对半导体晶圆进行切割之前，预先对半导体晶圆的背面进行氧离子注入工艺以在所述半导体晶圆的硅衬底内部形成含氧硅层，并对所述半导体晶圆进行高温退火处理，以使得所述含氧硅层转变为氧化硅层，进而通过掺杂处理使得所述硅衬底的背面变为高方阻区，该高方阻区位于所述氧化硅层上方，然后再形成键合金属层，通过上述工艺步骤，可以有效避免键合金属层与半导体晶圆之间产生电性接触，进而可以避免影响半导体芯片的工作稳定性。