一种碳化硅芯片高可靠性钝化层结构及制备方法

本发明公开了一种碳化硅芯片高可靠性钝化层结构及制备方法，具体涉及碳化硅芯片技术领域，包括碳化硅芯片钝化层，碳化硅芯片钝化层底部设置有碳化硅芯片基层，碳化硅芯片基层顶部设置有肖特基接触金属层，肖特基接触金属层顶部设置有正面加厚金属层，碳化硅芯片钝化层由下往上依次包括有第一氧化硅层、第二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层和光敏性聚酰亚胺层。本发明通过在钝化层中的氮化硅层上增加了一层氮氧化硅层，通过利用氮氧化硅强于氮化硅的抗氧化性、氮氧化硅的疏水性与聚酰亚胺粘附力更强、氮氧化硅层的应力小，不易开裂等优点提升器件在高温高湿高压环境下的稳定性和可靠性，提升器件抗外来湿气干扰的能力。