沟槽隔离电阻结构及其制作方法

本发明公开了一种沟槽隔离电阻结构及其制作方法。基于沟槽深度与沟槽宽度成比例的特性，在不增加成本的情况下通过当前沟槽隔离工艺来制作沟槽隔离电阻结构，形成的垂直电阻，电阻面积小，能大幅度节约芯片面积，降低芯片成本，且耐高压。