一种基于载能离子束沉积技术的芯片封装方法及系统

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一种基于载能离子束沉积技术的芯片封装方法及系统
申请号:CN202410808001
申请日期:2024-06-21
公开号:CN118747274B
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于载能离子束沉积技术的芯片封装方法及系统,涉及芯片封装技术领域,用于解决离子束能量的波动、离子束流量的不均匀等因素会影响沉积速率的稳定性。不稳定的沉积速率会导致沉积层厚度的不均匀性,影响封装层的质量和性能的问题,包括根据沉积表面晶体结构的规整性,建立沉积表面晶体结构的规整性与沉积速率的训练模型,推导出预期沉积速率;将预期沉积速率与实时沉积速率比较,确定是否需要调整实时沉积速率,进一步作出相应调整,实施并监测;通过模型训练来推导出预期的沉积速率,将其与实时沉积速率比较来确定是否需要调整沉积速率。最后通过调整离子束的能量和流量来控制沉积速率的稳定。
技术关键词
芯片封装方法 沉积技术 离子束 速率 芯片封装系统 数据分析模块 模糊规则 数据存储模块 模糊集合 数据获取模块 样本 压强 芯片封装技术 梯度下降算法 训练集数据 模糊推理 布拉格
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