中红外半导体激光芯片及其制备方法

本发明公开一种中红外半导体激光芯片及其制备方法，设计半导体激光芯片技术领域，其中包括：衬底；谐振层，设于所述衬底；有源层，设于所述衬底，所述有源层包括至少一个量子阱结构，所述有源层材料为InXGa1‑XAs，其中0<X<1，所述X取合适值，使有源层的带隙宽度维持在中红外波段；反射层，设于所述衬底，所述反射层反射中红外激光，与所述谐振层配合实现光振荡；将反射层与谐振层结合起来，使中红外激光于所述谐振层内振荡，或者于所述谐振层与反射层之间振荡，当所述激光的增益达到一定阈值时发射出去。如此不仅可以增强激光芯片的输出功率和性能，还可以扩展其应用范围，因此本发明旨在提出一种高稳定性的中红外半导体激光芯片。