外延片波长均匀性的调整方法、发光芯片及设备

本发明提供了一种外延片波长均匀性的调整方法、发光芯片及设备，涉及半导体技术领域。该外延片波长均匀性的调整方法是基于当前炉次下的第一应力释放层的第一翘曲值来计算当前炉次下的第二应力释放层的第一厚度补充值，之后基于第一厚度补充值结合前一炉次下的第二应力释放层的第一厚度值来确定第二应力释放层在当前炉次下的第二厚度值，基于这一第二厚度值来控制第二应力释放层在当前炉次下的生长，以调整外延片的波长均匀性。显然第二应力释放层的第二厚度值更契合当前炉次的实际生长状况，换句话说本申请是考虑当前炉次的实际生长状况来做调整的，更具有实时性和有效性，可以更为精确的调整外延片的波长均匀性。