金属靶材蒸镀方法、电子器件

本申请提供一种金属靶材蒸镀方法、电子器件，涉及芯片制造技术领域。该金属靶材蒸镀方法通过使用氮化硼坩埚与预熔程序处理金属靶材，选用氮化硼坩埚可以保证金属与氮化硼不会粘连，在金属靶材熔融成锭状冷却后，可随时取出擦拭清洁及其他操作，有效减少金属靶材内部碳物质含量，实现金属靶材内部基本不存在碳杂质，避免芯片制造流程中产品污染。本申请得到的前处理金属靶材内部基本不存在碳杂质，在蒸镀作业时不会将靶材表面杂质蒸镀到晶圆上，不会影响晶圆可靠性。