一种半导体生产异常数据实时监测方法

本发明涉及半导体数据优化处理技术领域，具体涉及一种半导体生产异常数据实时监测方法，该方法包括：采集半导体在生产过程中的温度、压力、气流量，获得半导体温度状态矩阵；根据半导体温度状态矩阵获得生产标尺稳定向量；根据半导体温度状态矩阵与生产标尺稳定向量之间的差异获得相对波动异常得分；根据相对波动异常得分获得状态不稳定系数；根据状态不稳定系数获得状态波动值；根据状态波动值获得动态优化步长因子对温度数据进行去噪，并进行预测，获得下一时刻的温度预测值；获得下一时刻的压力预测值、气流量预测值，结合当前时刻的温度、压力、气流量对半导体生产数据进行实时监测，提高了异常监测精度。