一种基于双层TaOx的忆阻器及其制备方法和人工触觉神经系统

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一种基于双层TaOx的忆阻器及其制备方法和人工触觉神经系统
申请号:CN202410818261
申请日期:2024-06-24
公开号:CN118742196A
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种基于双层TaOx的忆阻器及其制备方法和人工触觉神经系统。所述忆阻器包括设于衬底上的底电极,所述底电极上设有功能层,所述功能层上设有顶电极,所述功能层为双功能层结构,所述功能层为沉积双层阻变层薄膜,包括下层TaOx薄膜和上层TaOx薄膜。本发明制备的忆阻器具有良好神经突触仿生功能,能够模拟和实现人工触觉感知系统,提高感知速度。本发明还提供一种利用所述忆阻器作为人工突触芯片的人工触觉神经系统。所述忆阻器及人工触觉神经系统具备结构简单、高稳定性和高效性等优点。
技术关键词
忆阻器 功能层结构 薄膜 神经突触仿生 电极 触觉感知系统 衬底层 芯片 氧气 核心 底片 光刻 电压 器具 电流 速度
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