一种一片式梳谱发生器芯片及其制备方法

本发明公开了一种一片式梳谱发生器芯片及其制备方法，包括化合物半导体单片匹配电路、金属键合层、阶跃二极管薄膜和片内互连结构；所述化合物半导体单片匹配电路位于化合物半导体衬底上，包含片上电阻、电容、电感和微带匹配电路中的一种或多种；所述金属键合层位于硅基阶跃二极管薄膜与化合物半导体衬底匹配电路之间；所述阶跃二极管薄膜上台面电极与化合物半导体衬底匹配电路通过片内互连结构相连。本发明将微米级Si基阶跃管薄膜集成到化合物半导体衬底上，实现一片式阶跃管型梳谱发生器单片。相比于传统的分立器件和阶跃管组装的阶跃管型梳谱发生器模块体积大幅减小，且调配简单、使用便利、一致性高以及更优异的性能。