一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法及放电装置

AITNT
正文
推荐专利
一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法及放电装置
申请号:CN202410822777
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118600382A
公开日期:2024-09-06
类型:发明专利
摘要
本发明属于放电器技术领域,具体涉及一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法及放电装置,包括选择锶合金粉和钛合金粉制备第一靶材,选择掺杂金属的氧化物作为第二靶材;采用独立的第一靶枪和第二靶枪分别对第一靶材和第二靶材进行溅射,磁控溅射时通过控制工艺参数,使溅射得到的钛酸锶介电薄膜的元素组分比符合预设关系;并对得到钛酸锶介电薄膜进行光子烧结得到钛酸锶介电层;将剪裁后的导电层、第一电介质层、防击穿层和第二电介质层依次堆叠排布,形成多个循环堆叠的模组,连接电极后进行封装,并在封装上层集成IGBT芯片,得到基于钛酸锶介电层的放电装置。
技术关键词
钛酸锶 放电装置 介电薄膜 IGBT芯片 放电功能 磁控溅射工艺 介电层 钛合金粉 靶材 放电器技术 导电层 氧化铝薄膜 离子束 模组 基底 参数 元素 电极
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号