LDMOS的仿真模型及方法

本发明一种LDMOS的仿真模型及方法，包括：MOS管漏端接第一电阻第一端、第一二极管负极、第一电压控制电流源正极、第二二极管负极、第二电压控制电流源正极、第一可变电容第一端、体端和漏端底面理想二极管负极、第三电压控制电流源正极、体端和漏端侧面结电容第一端、体端和漏端侧面结理想二极管负极、第四电压控制电流源正极和第二可变电容第一端；第一二极管正极、第一电压控制电流源负极、第二二极管正极、第二电压控制电流源负极、第一可变电容第二端、体端和漏端底面理想二极管正极、第三电压控制电流源负极、第二二极管第二端、体端和漏端侧面结理想二极管正极、第四电压控制电流源负极和第二可变电容第二端均接MOS管体端。